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simonhuahua

新虫 (初入文坛)

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[交流] 基于同步辐射光源的光电子能谱

最近刚刚接触同步辐射。有两个问题想向高手们请教：
1. 想设计一个近常压光电子能谱的仪器，发射源的能量范围应该在 90 eV 到 2000 eV 的样子。一般实验室的 XPS 发射源应该是在 1000-1500 (比如1486.6 eV) ，研究表面元素成分，界面能级弯曲之类的。另外UPS发射源应该是在 16-41eV (比如 HeI (21.22eV) 或是HeII (40.8 eV))，研究价带电子的一些信息，或是通过计算valence band 相对真空能级的位置来确定band structure。

因为同步辐射产生的光连续，想用一个同步光源的光电子能谱仪器，同时包含实现 XPS，UPS 的所有功能。现在有个问题搞不清楚，因为光源和设计的原因，最小的发射源能量是 90 eV。而一般的 UPS 发射源能量是 16-41 eV的样子。这样其实在 41-90 eV 这一段还是空白。就在思考 90 eV 能不能实现 UPS 的所有功能，比如价带谱的研究，band structure 的测量等。因为 90 eV 比 UPS 的16-41 eV 还是大一些呢。

2. 另一个问题是，光斑对测试结果影响大不大。考虑将来做催化剂或是晶体材料，在不同地方信息不同，不知道光斑多大合适。太大太小是不是都不是很好，一般多大比较好呢。

希望高手多多指点。