| 查看: 886 | 回复: 1 | |||
haohaowind木虫 (小有名气)
|
[求助]
双栅GFET中石墨烯狄拉克点漂移问题
|
|
双栅GFET中石墨烯狄拉克点漂移问题 石墨烯作为沟道的MOSFET，在不同的顶栅压时，Id-Vbg 的曲线会发生偏移（狄拉克点漂移），请问狄拉克点漂移的本质原因是什么呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
274求调剂
已经有7人回复
-
北科281学硕材料求调剂
已经有11人回复
-
085600 材料与化工 329分求调剂
已经有3人回复
-
302求调剂
已经有3人回复
-
312求调剂
已经有5人回复
-
网络空间安全0839招调剂
已经有4人回复
-
329求调剂
已经有3人回复
-
【2026考研调剂】制药工程 284分 求相关专业调剂名额
已经有8人回复
-
085602 289分求调剂
已经有7人回复
-
材料学硕333求调剂
已经有4人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 通过何种方法可以打开石墨烯的狄拉克点，从而拉开导带与价带？
已经有6人回复
- 求石墨烯能带计算出现狄拉克点的K点路径
已经有13人回复
 |
2楼2013-08-28 07:45:55
