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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 请教一个关于晶体生长速度的问题
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li_xinjiang

金虫 (正式写手)

[交流] 请教一个关于晶体生长速度的问题

我是用电化学沉积制备单晶纳米线的,现在想请教关于不同晶面生长速度的理论计算,比如 FCC结构的(111) (100) (110)面的生长速度,根据键连理论只能得出V110>V100>V111,但是大家知道,生长速度与沉积,也就是生长条件也有密切的关系,我想知道有没有关于这方面的理论计算推倒,不是电化学的也可以,谢谢!!
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1楼 2007-11-15 10:23:45
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runningx

银虫 (小有名气)
我对您的问题不懂，我不是搞电化学的。能请问您一个问题吗？
电沉积Ni的表观激活能是多少？
或者退一步讲，这个问题有意义吗？我已经被这个问题困扰很久了。
谢谢。也祝您的问题早日得到解答。
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3楼2007-11-16 21:37:02
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li_xinjiang

金虫 (正式写手)
奇怪,难道就没一个人懂吗
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2楼2007-11-15 16:38:30
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li_xinjiang

金虫 (正式写手)
应该是表面活化能吧,你说的是
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4楼2007-11-17 12:49:44
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runningx

银虫 (小有名气)
对表关激活能，apparent activation energy 或者直接activation energy，我所在的学校资源有限，所以我是遍寻不着。
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5楼2007-11-17 15:52:44
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