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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 在掺杂P型半导体里带隙变大的可能原因
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王建春198728

金虫 (小有名气)
引用回帖:
10楼: Originally posted by wangyong832 at 2013-08-09 04:05:34
这个我见过有人结合XPS UPS XAS一起弄过。但是最好原位测量XPS UPS
你能测功函数和电离能 似乎也行。
最方便的方法是理论计算啊
   纯个人拙见...

谢谢，我还想问一下有这种P型掺杂带隙增大的现象吗？现在我正在理论计算
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成功
11楼2013-08-09 09:16:56
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x_0423

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

这个现象是否与你试样的尺寸有关？由于量子限域效应，当粒径尺寸很小时，同样会引起带隙变宽。
把能做的表征都做做看看，也许会弄明白。
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12楼2013-08-09 16:47:13
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