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王建春198728

金虫 (小有名气)

[求助] 在掺杂P型半导体里带隙变大的可能原因

小弟在在掺杂P型半导体里观察到了带隙变大,可是找不出可能的原因。只知道在N型半导体里掺杂带隙变大可能由于B-M迁移,很纠结。
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王建春198728

金虫 (小有名气)

引用回帖:
10楼: Originally posted by wangyong832 at 2013-08-09 04:05:34
这个我见过有人结合XPS UPS XAS一起弄过。但是最好原位测量XPS UPS
你能测功函数和电离能 似乎也行。
最方便的方法是理论计算啊
   纯个人拙见...

谢谢,我还想问一下有这种P型掺杂带隙增大的现象吗?现在我正在理论计算
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11楼2013-08-09 09:16:56
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马踏冰河

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
王建春198728: 金币+2, ★有帮助 2013-08-05 19:14:23
莫非生成了新相  新物质近代宽度大
2楼2013-08-05 18:52:53
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王建春198728

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 马踏冰河 at 2013-08-05 18:52:53
莫非生成了新相  新物质近代宽度大

应该没有,我测了结构没有变化,并且掺杂浓度不超过10%,掺杂的元素替位了母体的阳离子。有那种理论可以解释吗?
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3楼2013-08-05 19:16:55
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马踏冰河

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王建春198728 at 2013-08-05 19:16:55
应该没有,我测了结构没有变化,并且掺杂浓度不超过10%,掺杂的元素替位了母体的阳离子。有那种理论可以解释吗?...

多做几次看一下  也有可能是测量仪器的偶然因素造成的
4楼2013-08-05 19:28:30
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