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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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悠风吟

新虫 (初入文坛)


[交流] 载流子迁移率的问题

多大的迁移率算高,多小的迁移率算低呢,本人刚解除半导体器件方向,这点不解,望大神指点。
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by 忘了爱记着你 at 2013-07-25 08:00:07
我也有个疑问,如果把材料做到纳米尺度,纳米它的迁移率和块体的有什么区别呢。

仔细想想,这个问题太复杂了。非晶还是纳米晶?纳米线、棒还是颗粒?是不是还要考虑迁移率在不同维度、方向的差异。。。想想就晕了。。。太复杂了,对测试平台要求好高啊
7楼2013-07-26 15:41:37
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查看全部 8 个回答

tangshi141

木虫 (正式写手)



悠风吟(金币+1): 谢谢参与
和材料有关的 n型硅1350s/cm3 石墨烯几千上万也是很正常的事 最主要的是看用什么材料 做什么样的器件 楼主应该注明用什么材料做什么样的器件MOS BJT还是HEMT
2楼2013-07-24 22:44:01
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zhangzemin

新虫 (小有名气)



悠风吟(金币+1): 谢谢参与
这个不好说呀,一般的无机半导体迁移率较高,少则几百,高则上万,一般空穴的迁移率较电子迁移率低,这是由于空穴的有效质量交大。对于有机半导体就比较低的了,一般是个位数,差的就是小数了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2013-07-24 23:48:49
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忘了爱记着你

铜虫 (小有名气)



悠风吟(金币+1): 谢谢参与
我也有个疑问,如果把材料做到纳米尺度,纳米它的迁移率和块体的有什么区别呢。
5楼2013-07-25 08:00:07
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