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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 载流子迁移率的问题
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悠风吟

新虫 (初入文坛)

[交流] 载流子迁移率的问题

多大的迁移率算高，多小的迁移率算低呢，本人刚解除半导体器件方向，这点不解，望大神指点。
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1楼 2013-07-24 21:57:58
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by 忘了爱记着你 at 2013-07-25 08:00:07
我也有个疑问，如果把材料做到纳米尺度，纳米它的迁移率和块体的有什么区别呢。

仔细想想，这个问题太复杂了。非晶还是纳米晶？纳米线、棒还是颗粒？是不是还要考虑迁移率在不同维度、方向的差异。。。想想就晕了。。。太复杂了，对测试平台要求好高啊
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7楼2013-07-26 15:41:37
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tangshi141

木虫 (正式写手)
★
悠风吟(金币+1): 谢谢参与
和材料有关的 n型硅1350s/cm3 石墨烯几千上万也是很正常的事 最主要的是看用什么材料 做什么样的器件 楼主应该注明用什么材料做什么样的器件MOS BJT还是HEMT
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2楼2013-07-24 22:44:01
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zhangzemin

新虫 (小有名气)
★
悠风吟(金币+1): 谢谢参与
这个不好说呀，一般的无机半导体迁移率较高，少则几百，高则上万，一般空穴的迁移率较电子迁移率低，这是由于空穴的有效质量交大。对于有机半导体就比较低的了，一般是个位数，差的就是小数了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2013-07-24 23:48:49
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忘了爱记着你

铜虫 (小有名气)
★
悠风吟(金币+1): 谢谢参与
我也有个疑问，如果把材料做到纳米尺度，纳米它的迁移率和块体的有什么区别呢。
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5楼2013-07-25 08:00:07
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