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关于在FTO基片上生长纳米线煅烧温度的问题？
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| 我目前的研究方向是通过水热并煅烧的方法在在FTO基片上生长一层纳米线（比如α-Fe2O3纳米线），之前经过一位大牛指导，得知用在经500度煅烧2H后快速升温到800度再煅烧5min可以增加α-Fe2O3纳米线和FTO基底的接触，能够很大幅度的提高光电效应，现在小虫想在已经生长的纳米线上再生长一层纳米线，但是FTO基片只能经历一次800度的高温煅烧（再烧高温就会导致FTO基片的损坏），想请问各位大牛虫友复合纳米线该怎么煅烧？ |
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