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[求助]
超声探头晶片振幅怎么计算
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最近导师要求设计一个电荷检测的传感器，查了很多资料，打算采用超声探头来做，但是检测范围的确定需要用到晶片振幅这个参数，找了好多资料都没有找到合适的理论基础，特来求助，感激不尽 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
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ivansdk
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+3, 3q 2013-07-03 03:12:10
mygpt: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-07-07 12:53:51
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华丽的飘过: 金币+3, 3q 2013-07-03 03:12:10
mygpt: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-07-07 12:53:51
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利用应变分量S测量电位移D 机械自由且电学开路 宜采用第三类压电方程 S=sDT+gD E=-gT+βTD [具体形式可以到压电学的基础书籍上查看， 如 张福学的压电学 贾菲的压电陶瓷 上面的那本 这些都可以] 应力T和电位移D是我们要求的量 S是应变分量 可以通过测量形变大小得到 E是电场强度 可以通过测量压电片两端电压得到 两个关系式解两个物理量，虽然这里面的sD、g、βT都是矩阵形式，[两个g的角标不一样][几个矩阵的具体参数需要针对选用的压电材料选择] 不过学过线性代数的，这个应该没问题吧。 |
3楼2013-06-30 08:29:24
liangzf
至尊木虫 (知名作家)
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2楼2013-06-29 17:59:37
