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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 在高真空下，加热四个九纯度的硅颗粒还是被氧化了呢
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jy1036

新虫 (初入文坛)

[求助] 在高真空下，加热四个九纯度的硅颗粒还是被氧化了呢

有没有人知道，在真空度为负4的情况下，加热蒸发纯度为四个九的硅颗粒到石墨片上，产物里还是有二氧化硅呢？现在正在找方法，已经研二下学期了，还是做得不好，怎么办？求高手指点啊！
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1楼 2013-06-28 01:07:35
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jy1036

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by cord at 2013-06-28 01:56:37
负4的真空度不是高真空，氧的含量还是很高。要将硅颗粒蒸发，加热温度得很高，加热之后腔室，舟等得放气就达不到负4真空度了吧。
可以抽到负4之后，通入高纯的氮气或者氩气，在抽走，在通气，来回几次。
或者可以 ...

我现在就在尝试通入氩气蒸发呢，就像你说的那样通入氩气再抽走，不过我想请教一下，我在通入氩气的过程中分子泵一直没有关，就是通入氩气就被抽走了，可是为什么真空度就是抽不到原来那样负4呢？？还有一个问题我一直很纳闷，我在加热蒸发硅颗粒的过程中，真空度刚开始会变低，但是后来保持在硅颗粒蒸发的温度下，真空度会变高的，有的时候甚至能到负5的，这个不好解释啊？？？
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3楼2013-06-28 11:24:48
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cord

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
负4的真空度不是高真空，氧的含量还是很高。要将硅颗粒蒸发，加热温度得很高，加热之后腔室，舟等得放气就达不到负4真空度了吧。
可以抽到负4之后，通入高纯的氮气或者氩气，在抽走，在通气，来回几次。
或者可以的话在高纯氮气或者氩气氛围中蒸发硅。
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2楼2013-06-28 01:56:37
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cord

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

腔室的吸附会降低你的真空度，需要等一段时间才能回到负4真空度。
蒸发硅过程中，真空度刚开始变低是高温下硅颗粒的放气以及腔室在高温下放气。后来真空度变高可能是硅跟残留的气体的反应，所以你得到的是氧化物的硅而不是硅本身。
这个或许可以说你的腔室真空度不够，或者在蒸发硅所需要的温度条件下腔室本身条件达不到要求。
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4楼2013-06-28 22:06:47
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dabingbxm

铁虫 (小有名气)
-4你是指的什么单位？mbar?实话实说-4一般并不称为高真空。-7，-8的话你说是高真空或者超高真空倒是差不多。很多材料的加热过程一般都伴随放气过程，真空变差再变好这是很正常不过的事情。类似的比如说金属钛，Ge等等相应的都会有。
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5楼2013-06-28 22:17:37
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