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fushuixuan

新虫 (小有名气)

[求助] 掺杂的硅材料,之后做了中子辐照,剂量比较小,用什么手段可以对缺陷进行表征?

rt,最大的中子辐照剂量为14次方,已经做过了PALS,ESR(没有测出来),求大神们教下菜鸟,要毕业,发愁阿。还需要什么可以产生的缺陷,急急急急......
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beibeijiajia

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
wbcui: 金币+1, 多谢帮助 2013-07-27 20:36:14
你可以做一下正电子湮没(PAS),它适合于剂量小的情况,用质子辐照后我做的效果还不错,也有人做过中子辐照的
2楼2013-06-27 09:32:45
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fushuixuan

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by beibeijiajia at 2013-06-27 09:32:45
你可以做一下正电子湮没(PAS),它适合于剂量小的情况,用质子辐照后我做的效果还不错,也有人做过中子辐照的

pals 就是正电子湮没,测出来的结果不是很好
3楼2013-06-27 14:47:57
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fushuixuan

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by beibeijiajia at 2013-06-27 09:32:45
你可以做一下正电子湮没(PAS),它适合于剂量小的情况,用质子辐照后我做的效果还不错,也有人做过中子辐照的

去哪里做PAS?你在哪里做的?
4楼2013-06-27 14:49:14
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员

【答案】应助回帖

用LTPL(低温荧光)也可以表征缺陷

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
是金子总会发光!!!
5楼2013-07-26 23:58:49
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