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yangzai132

金虫 (小有名气)


[交流] MHOS(Metal-HfO2-SiO2-Si)结构与浮栅存储器存储机制的不同?

我看到“Charge trapping properties of the HfO2 layer with various thicknesses for charge trap flash memory applications
”这篇文章的时候有点疑问,这篇文章是2010年发表在APL上面的,作者是Hee-Wook You and Won-Ju Choa,好像是个韩国人。文章里面讲到的结构是MHOS(Metal-HfO2-SiO2-Si),而一般的Floating gate flash都会有一个blocking layer,我疑问的是文章中缺少blocking layer层的结构是怎么存储电荷的?不是通过势垒束缚电荷的么?不知道我有没有表述清楚,希望懂的人可以帮忙解答或者一起交流。
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