| 查看: 2009 | 回复: 7 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
yourne木虫 (小有名气)
|
[求助]
从castep计算的band structure中能否判断半导体的掺杂类型？
|
||
| 比如用N掺杂氧化物，PBE0算出来的能带看出来N的能级位于带隙底部，能否说明N是受主？最好有文献支撑 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 第一原理资料贴 |
» 猜你喜欢
论文终于录用啦！满足毕业条件了
已经有21人回复
-
不自信的我
已经有5人回复
-
磺酰氟产物，毕不了业了！
已经有4人回复
-
投稿Elsevier的杂志（返修），总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有8人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求助：用castep 做掺杂计算时，Geometry Optimization的作用？
已经有13人回复
- 求助：用castep 做掺杂计算时，掺杂原子怎么添加到原有晶格中？
已经有14人回复
- castep计算半导体的时候，勾选 fix occupancy吗
已经有7人回复
- CASTEP计算掺杂不收敛
已经有5人回复
- castep 计算过度金属掺杂ZnO磁性问题！！
已经有5人回复
- CASTEP计算间隙式原子掺杂，怎么加掺杂的原子？
已经有5人回复
- CASTEP算关于掺杂对镁基合金电子特性、力学性能理论影响的硕士论文（2010的）
已经有286人回复
- 【求助】请教用CASTEP软件计算离子掺杂的问题！
已经有8人回复
- 【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带
已经有10人回复
6楼2013-11-09 00:21:44
7楼2013-11-09 00:31:35
8楼2013-11-09 00:39:22