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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » Al/BiT/Si阻变存储器，原理求助。
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梧桐树zxc

新虫 (初入文坛)

[求助] Al/BiT/Si阻变存储器，原理求助。

做的不同衬底对BiT薄膜阻变器的影响，做了ITO与p-si衬底的实验，得出logI-logV曲线，si衬底高阻态、低阻态符合欧姆定律。不知，其中原理，特来请教。
Al/BiT/Si阻变存储器，原理求助。
Al/BiT/Si.jpg


Al/BiT/Si阻变存储器，原理求助。-1
Al/BiT/ITO.jpg
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1楼 2013-06-02 16:37:31
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梧桐树zxc

新虫 (初入文坛)
木有人么、、
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2楼2013-06-02 20:15:46
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梧桐树zxc

新虫 (初入文坛)
求大神指导、、
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3楼2013-06-02 22:25:28
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

两张图分别是什么？
SET和RESET么？
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哈哈哈哈，来吧
4楼2013-09-12 07:31:51
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milan7028

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

BiT是什么？BiTiO3吗？取双对数后，斜率为1应该是导电通道（conductive paths），可能由缺陷控制；斜率1~2应该是空间电荷限制电流效应SCLC（space charge limit current），因为没有导电通道，由电荷区（space regions）控制。 个人浅见
赞一下 回复此楼
感谢挫折，你们使我更强大
5楼2013-11-29 11:16:48
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