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求助：有关半导体材料和物理的问题
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在半导体硅片中，运用某些方法让分散在硅片中的杂质团聚在一起，使得团聚区周围的空间相对洁净，期望这样能提高少数载流子的寿命。 可，固体物理里面，想到团聚在一起的杂质相当于在价带和导带中的禁带区域增加了一个能级，成为新的复合中心，反而会减少少数载流子的寿命。 这两个个想法是对立的，不知道我在某个上的理解是否有偏差，或者说，这两个问题到底是怎么回事？晕了。。。 请教高手 |
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