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制备的ZnO/Si pn结完全没有整流特性是什么原因
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用ALD制备的ZnO/Si纳米叠层,ZnO的厚度为100nm，Si和ZnO中间还加了一层Al2O3缓冲层，厚度从2nm到10nm不等。 可是做I-V特性测试的时候完全没有pn结的整流特性啊！完全就是一条直线，和电阻一模一样啊，偶尔正偏时有一点指数上升的样子，漏电流也大的过分。 这批样品算是废了，可是原因还是没有分析出来，ALD制备正常，就是ZnO生长略不均匀，但是也不至于一点整流特性也没有啊。 还请各位帮忙分析。。。 |
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2楼2013-05-22 05:49:37