| 查看: 2738 | 回复: 1 | |||
dengli666木虫 (小有名气)
|
[求助]
求解释 C1s XPS 283.3ev
|
| 碳-二氧化硅复合材料,500摄氏度处理,发现XPS谱图在283.3ev有很强的峰,查手册是CSi的C1s结合能,但是不太可能生成C-Si键。求大神解释。 |
» 猜你喜欢
现代”学阀”该如何界定
已经有14人回复
求合成方法
已经有8人回复
师弟论文见刊大半年才想起来申请专利,还能抢救一下吗?
已经有4人回复
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有5人回复
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有5人回复
有机合成以后会不会被AI改变?做科研的虫友怎么看
已经有8人回复
我的奶奶
已经有3人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
XPS峰中的C1s有两个峰,且峰位置从276eV~292eV,是什么原因呢
已经有8人回复
用XPS测试纳米金属氧化物,为什么会出现强烈的C1s峰
已经有8人回复
请教个XPS C1s校准的问题! 谢谢!
已经有6人回复
【求助】这个XPS中的C 1S 峰如何处理
已经有4人回复
【求助】请问xps表征C1S与标准的284.6ev值校正偏差多少是合理的?
已经有3人回复
2楼2021-03-13 10:59:22










回复此楼