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qingqiu

银虫 (小有名气)

[求助] OFET测试图

各位大侠:您们好!我现在做OFET,但是对于测试图中的部分现象不能很好的解释(利用4200SCS测试电学性质),想问问大家有没有遇到过这种现象,可以帮我解释下现象吗?主要是红色虚线画的部分现象,谢谢谢谢!
图中红色虚线圈起来的部分不大理解出现这种现象的原因。文献中一般输出曲线中会平缓的达到饱和,但是我测试过程中,总是呈图中的现象。在转移曲线中当电流达到最大时,也不能像文献中那样平缓的达到最大,总是出现图中的转折。在文献中没有找到合理的解释,想麻烦大家帮忙看看,希望哪位大侠帮忙解释下,谢谢谢谢!

图片3.png
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少说话多做事
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cool9238

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
qingqiu: 金币+5, 有帮助, 漏电流相对来说还是比较小的 2013-05-13 08:18:25
LZ应该看看漏电流怎么样,也有可能DEVICE有问题
2楼2013-05-12 23:20:58
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dulihanqiu

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
qingqiu: 金币+5, 有帮助 2013-05-16 08:48:59
起点不在零点应该就是漏电造成了,如果你是在一层膜上做很多歌器件的话,可以把单个器件隔离起来测一下。至于那个拐点不知道什么原因,以前没见过,都是有弧度的
3楼2013-05-15 17:28:36
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qingqiu

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by dulihanqiu at 2013-05-15 17:28:36
起点不在零点应该就是漏电造成了,如果你是在一层膜上做很多歌器件的话,可以把单个器件隔离起来测一下。至于那个拐点不知道什么原因,以前没见过,都是有弧度的

谢谢你,测试的时候是把每个器件分开后测试的,但是测试的结果一直是这样,不知道什么原因。
少说话多做事
4楼2013-05-16 08:48:50
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