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铁虫 (初入文坛)

[交流] SiC外延石墨烯边界择优生长及衬底原子结构已有1人参与

小弟从事外延石墨烯的制备及表征不久，链接是已发表的两篇文章，想跟大家交流下并希望大家给提提意见！

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附件 1 : Evidenceofatomicallyresolved6×6bufferlayerwithlong-rangeorderandshort-rangedisorderduringformationofgrapheneon6H-SiCbythermaldecomposition.pdf

2013-05-10 10:18:33, 1.49 M

附件 2 : PreferredArmchairEdgesofEpitaxialGrapheneon6H-SiC(0001)byThermalDecomposition.pdf

2013-05-10 10:18:45, 2.08 M

steeringshipwithhope！

1楼 2013-05-10 10:27:25

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新虫 (小有名气)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

楼主你好，我刚刚接触SiC外延生长石墨烯，现在有一问题想不明白，为什么在升华的时候Si原子能够被升华而C原子不能呢？不知道您能不能指点指点？

2楼2013-12-18 10:34:59

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