应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料其他 » 关于几何必需位错和统计存储位错密度的交流与讨论
51/1返回列表
查看: 14053  |  回复: 52
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

wcjhit

木虫 (正式写手)

[交流] 关于几何必需位错和统计存储位错密度的交流与讨论

看文献上说，几何必需位错是由分均匀变形引起的，其主要分布在晶界区域和受限制的边界区域，而统计存储位错主要分布在晶内。有一个问题就是如何计算几何必须位错密度和统计存储位错密度。是通过整个样品界面内几何必需位错和统计存储位错除以截面面积获得，还是通过几何必需位错除以晶界和受限制区域面积和统计存储位错除以晶内面积获得？？还是？？？
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2013-05-05 15:01:41
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhoulut

木虫 (初入文坛)
★
wcjhit(金币+1): 谢谢参与
理解几何必须位错和静态储存位错，有必要结合晶体的塑性变形。几何必须位错是由于晶体材料的塑性变形不均匀，为了保持变形的协调性而产生的。静态储存位错是由于各位错之间相互缠绕而产生。个人认为主要看他们在变形过程所起的作用，来决定是几何必须位错还是静态储存位错。
赞一下(4人) 回复此楼
38楼2016-09-16 21:43:19
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 53 个回答

xiedt

金虫 (著名写手)
★
wcjhit(金币+1): 谢谢参与
祝福，祝福，祝福，祝一切顺利，科研成果累累！
赞一下(1人) 回复此楼
6楼2013-05-05 16:08:51
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
简单回复
秋之落叶9楼
2013-05-06 00:23   回复  
wcjhit(金币+1): 谢谢参与
查看全部 53 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭