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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 阴极沉积实验与工作电极连接钛丝表面是粗糙好还是光滑好呢？？
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liyijiujiang

新虫 (初入文坛)

[求助] 阴极沉积实验与工作电极连接钛丝表面是粗糙好还是光滑好呢？？

做阴极沉积实验时，工作电极连接的钛丝，钛丝表面是粗糙好，还是光滑好呢？       在做恒电位电解时，电流密度（如1mA.cm2---- -1.3)与电势是一一对应关系吗？

[ Last edited by liyijiujiang on 2013-5-4 at 21:14 ]
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1楼 2013-05-04 21:11:49
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
一般而言，光滑的钛丝表面电流密度均匀，沉积物也更均匀。在恒电位-1.3V下的电流密度不一定就是1mA/cm2, 这与电极表面状态，溶液浓度和沉积物的性质有关。
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2楼2013-05-04 21:46:13
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

可以采用三电极体系，通过控制电位的方式来电沉积，你可以参照文献的条件，来设置控制的电位。
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4楼2013-05-04 22:26:11
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
liyijiujiang: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-05-06 15:24:02
粗糙表面局部电流密度不同，导致的沉积也不均匀，取决于你的目的和用途，一般最好是光滑表面比较好。
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9楼2013-05-06 11:43:44
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)
如果是阴极极化的话，还是采用1mA/cm2吧。
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18楼2013-05-07 19:50:05
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普通回帖

liyijiujiang

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-05-04 21:46:13
一般而言，光滑的钛丝表面电流密度均匀，沉积物也更均匀。在恒电位-1.3V下的电流密度不一定就是1mA/cm2, 这与电极表面状态，溶液浓度和沉积物的性质有关。

文献用的是双电极体系，用的是恒电流法，改为三电极体系，用恒电压法理论上可行吗？  谢谢了
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3楼2013-05-04 22:00:38
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liyijiujiang

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-05-04 22:26:11
可以采用三电极体系，通过控制电位的方式来电沉积，你可以参照文献的条件，来设置控制的电位。

非常感谢
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5楼2013-05-05 09:55:21
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liyijiujiang

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-05-04 22:26:11
可以采用三电极体系，通过控制电位的方式来电沉积，你可以参照文献的条件，来设置控制的电位。

我看到文献用的是galvanostatic methods 设置电流值为1mA/cm2 ,我们用CHI760或者CHI660的电化学工作站，用的是那种技术呢？谢谢！
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6楼2013-05-06 10:55:43
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

galvanostatic methods 就是恒电流模式，即人为控制（设置）外加的电流大小，因此，在晨华仪器上应该对于计时电位方法。
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liyijiujiang
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7楼2013-05-06 11:16:18
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liyijiujiang

新虫 (初入文坛)
送红花一朵
引用回帖:
7楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-05-06 11:16:18
galvanostatic methods 就是恒电流模式，即人为控制（设置）外加的电流大小，因此，在晨华仪器上应该对于计时电位方法。

谢谢了， 钛丝表面是粗超，还是光滑，对阴极沉积有利呢？
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8楼2013-05-06 11:30:55
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liyijiujiang

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-05-06 11:43:44
粗糙表面局部电流密度不同，导致的沉积也不均匀，取决于你的目的和用途，一般最好是光滑表面比较好。

那计时电位方法参数怎么设置呢？ 文献给的是cathode current 为1mA/cm2，其他的参数怎么设置呢？
Cathode current
Anodic current
High E limit
Low E limit
Cathode time
Anodic time
Initial polarity
Data storage intvl
Number of segments
Current switching priority
Auxiliary signal recording
High E Hold Time
Low E Hold Time
求解!  谢谢
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10楼2013-05-06 16:35:44
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