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一生有你3817

铜虫 (小有名气)

[求助] 求助大神怎么测TiO2半导体材料的IPCE

本人做的是光催化方向,新手一枚。是在钛片基底阳极氧化TiO2以后沉积一些窄带隙半导体材料,我现在沉积了CdS和CdSe,想测试下IPCE看下它们的可见光响应。求助大神怎么测试呢?是要在电化学工作站下加一个偏压吗?
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每个人的心里都藏着一座城堡,等着她带着自己的童话来报到。。。
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情断盘锦

金虫 (正式写手)

楼主是否已经解决这个问题了,我也是做的类似的结构,不过我基底是硅,不知道该怎么测试其IPCE.
转了一圈又回到了原点
7楼2016-09-02 09:08:38
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corrtest

木虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
如果纯粹是测量光催化效果,是不需要加电压的。在有光与暗态条件下监测电极的电流值就可以了。如果是光电催化,就是光和电一起的协调效应,就施加电压。
2楼2013-04-28 16:01:26
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ystmichael

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
扫描电压0-1V左右.计算一下入射光能量,最好有个标准Si板.然后用电压电流乘积除入射光功率.都是单位面积.
人生在于折腾
3楼2013-04-28 19:15:38
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一生有你3817

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by ystmichael at 2013-04-28 19:15:38
扫描电压0-1V左右.计算一下入射光能量,最好有个标准Si板.然后用电压电流乘积除入射光功率.都是单位面积.

扫描电压应该是选取一个恒电位极化吧,最后会有一个稳定光电流。用这个光电流乘以电压,再除以入射光功率吗?
每个人的心里都藏着一座城堡,等着她带着自己的童话来报到。。。
4楼2013-04-29 09:54:55
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