| 查看: 2136 | 回复: 2 | ||||
stamp666新虫 (小有名气)
|
[求助]
MS DOS和Bandstructure 导出及解释
|
|
刚开始用MS计算CuFeS2 （半导体，0.5 -1.1 eV）的DOS， Band structure,计算结果如图1. Fermi能级处不为0，而2.5eV 处倒是为0，不知道这是什么原因引起的。有类似偏移效果吗？ 我按照网上有人指出的直接复制数据到origin中画图，或者将DOS 和BAND STRUCTURE导出为CSV文件然后倒入到orgin中，但是画出来的图DOS中的fermi能级不是一条直线啊 （图2），是不是导出方式有问题啊，不过Bandstructure画图又没有问题， 不知道这是怎么回事。请赐教。 一篇中文文献中倒是用MS有类似的结果（图4），为直接能隙，大概0.99eV，Fermic处也不为0，但是一片英文文献中用PWSCF计算后又是间接能隙，且能隙小很多（图5）。大家帮我看下怎么回事。谢谢了哈。  1111.PNG  22222.PNG  4.PNG  5.PNG [ Last edited by stamp666 on 2013-4-28 at 13:09 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 计算MS等 |
» 猜你喜欢
投稿返修后收到这样的回复，还有希望吗
已经有7人回复
-
压汞仪和BET测气凝胶孔隙率
已经有4人回复
-
博士申请都是内定的吗？
已经有14人回复
-
博士申请
已经有3人回复
-
谈谈两天一夜的“延安行”
已经有13人回复
-
氨基封端PDMS和HDI反应快速固化
已经有11人回复
-
之前让一硕士生水了7个发明专利，现在这7个获批发明专利的维护费可从哪儿支出哈？
已经有11人回复
-
论文投稿求助
已经有4人回复
-
Applied Surface Science 这个期刊。有哪位虫友投过的能把word模板发给我参考一下嘛
已经有3人回复
-
投稿精细化工
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- 如何导出ms中能带和态密度的数据，想在origin中做图……
已经有8人回复
stamp666
新虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 158.9
- 帖子: 91
- 在线: 28.2小时
- 虫号: 584107
- 注册: 2008-08-01
- 性别: GG
- 专业: 矿物工程与物质分离科学
2楼2013-04-29 08:35:58
zzm1124
新虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 25.7
- 散金: 84
- 帖子: 96
- 在线: 32.7小时
- 虫号: 10044977
- 注册: 2018-08-27
- 专业: 理论和计算化学
3楼2019-06-19 21:31:43