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EstelleL

银虫 (小有名气)

[交流] 请教UV-vis一个问题——关于吸收边

请教UV-vis一个问题——关于吸收边
紫外漫反射测试
UV-vis 只测 R%,其 数据只能转换成 Kubelka-Munk,

(ahv)^n

算吸收边时,是不是可以用Kubelka-Munk值代替absorbance?

Kubelka-Munk和absorbance是不是成比例,可以说等效?

有没有高手可以给个清楚的解释,非常感谢!我愿意送15个金币给答疑解惑者,答案完美的可以再加金币![/size
]

到底测吸收值和测反射值得到的能带结果有何区别,会相同吗?

[ Last edited by EstelleL on 2008-1-3 at 22:23 ]
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EstelleL

银虫 (小有名气)

大家进来讨论一下
都没人来指教 偶然发现了一篇文献 可能有些参考价值
Photoluminescence and Charge-Transfer Complexes of Calixarenes Grafted on TiO2 Nanoparticles
Justin M. Notestein, Enrique Iglesia,* and Alexander Katz*
10.1021/cm070779c CCC: $37.00 © xxxx American Chemical Society
Published on Web 09/07/2007 PAGE EST: 7.4
2楼2007-09-24 12:07:10
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EstelleL

银虫 (小有名气)

F(R)~R%~K-M
3楼2007-09-24 12:09:27
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leewes

铜虫 (小有名气)

★ ★ ★
EstelleL(金币+3,VIP+0):谢谢!你是第一个回复的!
看到过这样一种算吸收边方法:
转换成 Kubelka-Munk以后,在曲线的吸收边(就是曲线最陡的那段)画切线,与横坐标的交点就是吸收边的值
4楼2007-09-30 08:39:00
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EstelleL

银虫 (小有名气)

如果楼上可以提供实例就更好了!
5楼2007-10-09 20:31:01
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leewes

铜虫 (小有名气)

其实 画切线很带有主观因素 可以拿来定性比较比较
6楼2007-10-10 08:42:21
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rice1202

银虫 (正式写手)

用紫外-漫反射的方法来确定半导体的带隙本来就带有很大的主观因素,存在着误差。如果直接用测的吸收值来推算带隙的话算出的值会偏小,如果先测R值然后用Kubelka-Munk方法转化成吸收值,这样测得的数据就会准确些。
7楼2007-11-23 08:28:35
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