| 查看: 107 | 回复: 2 | ||
| 当前主题已经存档。 | ||
| 【悬赏金币】回答本帖问题，作者dashan_612将赠送您 1 个金币 | ||
dashan_612木虫 (正式写手)
|
[求助]
欧姆接触问题 高手帮忙
|
|
| 测电阻需要找一种金属做电极，找的金属对电阻测量结果没有影响的为欧姆接触。请教大虾，AlN的欧姆接触是什么材料，或者在那里可以找到相关的资料 谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
时间戳又变了
已经有8人回复
-
言之凿凿，8月21号(明天)放榜
已经有16人回复
-
时间戳变了，能看出什么问题？
已经有21人回复
-
重要消息，中午系统在维护
已经有12人回复
-
哪位老哥知道今年的国自然具体哪一天放榜？
已经有20人回复
-
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有21人回复
-
今天基金会出结果吗？20260819
已经有15人回复
-
filecode，4个jtjc了
已经有13人回复
-
为什么余额宝的年化利率越来越低？主要原因有哪些？
已经有5人回复
-
今天放榜没戏了吧
已经有5人回复
| Sand等人[24]提出掺入p型的杂质到半导体的表 面层可能产生低阻的接触。Mg和Zn对于GaN是最浅的两种p型杂质，将这类杂质添加到接触金属 里面，采用了Au/Mg/Au或Ni/Au-Zn等金属化方案，但是没有明显的改进，只能做到约10-3W·cm2。Suzuki等人[16]提出，对氢原子有很强束缚能的金属可以制作低阻的p-GaN欧姆接触，因为金属 在高温下可以从p-GaN中吸收氢原子而增加其空穴浓度。采用Ta/Ti方案获得了3×10 -5W·cm2的低阻，但其热稳定性太差。Kaminska等人[5]采用Zr基金属化方案，利用ZrN/ZrB2 吸收p-GaN表面的氢原子，获得低阻（6～8）×10-5 W·cm2。另一种获取低阻欧姆接触的途径是通过半导体的能带工 程，禁带宽度小的半导体可以促进载流子的热电子发射，因此，薄的重掺杂的小带隙半导体帽层被用到各种器件中。InN的带隙比GaN和AlN小，在GaN上面长一层InN或InGaN，就可以产生低阻接触。Kumakura等人[25]在Pd/Au和p-GaN之间插入一层2nm的应变InGaN接触层，未经任何处理就得到了相当低的接触电阻率（1.1×10-6W·cm2）。 |
2楼2007-09-16 20:28:04
3楼2007-09-16 20:29:38
