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ging1990

金虫 (小有名气)

[交流] Ni与n型Ge接触如何实现欧姆接触? 已有2人参与

由于金属与n型Ge存在费米能级钉扎效应,一般的金属与Ge接触都存在比较大的肖特基势垒,目前所能达到的Ni与n型Ge接触而实现欧姆接触的方法有哪一些?求交流————比如有文献报道在Ni与Ge 之间镀薄(纳米级别)的介质层来实现欧姆接触··········
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yswyx

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引用回帖:
5楼: Originally posted by ging1990 at 2013-04-09 20:37:49
目前确实就这几种金属或合金能达到我们所要求的结果,但这几种金属和合金的话成本应该不低吧,在考虑Ni 的情况有没有可能实现欧姆接触的情况呢?比如再外加一种金属成为合金这种情况。...

我觉得如果你要不是专门做欧姆接触研究的话,就不用考虑这方面APL级别的工作了,更不用考虑成本了。文献上看老外还是颇做出来了各种n-Ge欧姆接触过渡层的结果的,直接照做重现吧。
6楼2013-04-09 22:24:15
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yuxi-seu

金虫 (小有名气)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你说的介质层只是能降低肖特基势垒高度吧,但是肖特基势垒还是存在的,另外介质层其实本身也高阻的,不过因为很薄,可以隧穿。像你说的这种引入介质层的这种方法,我如果没记错的话,似乎还有一个后续高压短脉冲处理的步骤。
做个有心人,做个有毅力的人,做个乐观大度的人
2楼2013-04-09 18:18:10
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
锗(Ge)
铟(In),镓金合金(AuGa),锑金合金(AuSb)
http://zh.wikipedia.org/wiki/歐姆接觸
3楼2013-04-09 19:03:06
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ging1990

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yuxi-seu at 2013-04-09 18:18:10
你说的介质层只是能降低肖特基势垒高度吧,但是肖特基势垒还是存在的,另外介质层其实本身也高阻的,不过因为很薄,可以隧穿。像你说的这种引入介质层的这种方法,我如果没记错的话,似乎还有一个后续高压短脉冲处理 ...

是的,尽量降低肖特基势垒高度,让其表现的近似欧姆接触,后续高压短脉冲处理倒不是很了解
4楼2013-04-09 20:35:01
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