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zhouhaiping

铁虫 (小有名气)


[交流] 石英坩埚片中氧碳含量的测定

在做浸润性实验的时候,关于氧的来源和去向, 怎么样测定坩埚片的氧碳含量,用什么仪器,精确度是多少,坩埚片有1.5cm厚,麻烦大家提供点信息
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csx0011

铁杆木虫 (著名写手)


★
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用傅立叶红外光谱仪
2楼2013-04-08 13:40:43
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zhouhaiping

铁虫 (小有名气)


引用回帖:
2楼: Originally posted by csx0011 at 2013-04-08 13:40:43
用傅立叶红外光谱仪

是测有机物的吧,或者比较薄的东西
3楼2013-04-08 14:37:27
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tjumark

金虫 (著名写手)


★ ★
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zhouhaiping: 金币+1, 谢谢,我试试 2013-04-10 09:39:41
从坩埚片上跨越浸润后的试样,用SEM-EDS做一个线扫描,可以看出C,O元素在不同位置的分布含量变化;
如果单纯要测石英片中的C,O含量,用X射线荧光光谱仪应该就可以了。
4楼2013-04-09 21:49:59
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zhouhaiping

铁虫 (小有名气)


引用回帖:
4楼: Originally posted by tjumark at 2013-04-09 21:49:59
从坩埚片上跨越浸润后的试样,用SEM-EDS做一个线扫描,可以看出C,O元素在不同位置的分布含量变化;
如果单纯要测石英片中的C,O含量,用X射线荧光光谱仪应该就可以了。

哎,刚才问了一下师兄,他说测不出来,我很不理解,我想再问问您:我要做的石英坩埚片的主要成分就是SiO2,我的意思就是比如一个10*10 的坩埚片里的二氧化硅含量能测出来,比如是50g,然后反应铸锭结束后我再测一下,还剩40g,那我就知道在铸锭的过程成反应掉10g,或者二氧化硅的含量在反应前是90%,反应后是70%,我要的是这种数据,不是Si和O的定量关系比,谢谢,可能我一开始发的帖子的表述有问题
5楼2013-04-10 11:14:43
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tjumark

金虫 (著名写手)


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引用回帖:
5楼: Originally posted by zhouhaiping at 2013-04-10 11:14:43
哎,刚才问了一下师兄,他说测不出来,我很不理解,我想再问问您:我要做的石英坩埚片的主要成分就是SiO2,我的意思就是比如一个10*10 的坩埚片里的二氧化硅含量能测出来,比如是50g,然后反应铸锭结束后我再测一下 ...

那你做的是金属对石英的浸润试验吗?
石英坩埚的就是SiO2,只不过不同品级的石英坩埚的制作所用的石英中杂质含量不同;
反应铸锭,我还是不很清楚你的过程。你的锭和石英反应?
6楼2013-04-10 11:44:05
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zhouhaiping

铁虫 (小有名气)


引用回帖:
6楼: Originally posted by tjumark at 2013-04-10 11:44:05
那你做的是金属对石英的浸润试验吗?
石英坩埚的就是SiO2,只不过不同品级的石英坩埚的制作所用的石英中杂质含量不同;
反应铸锭,我还是不很清楚你的过程。你的锭和石英反应?...

我做的是硅对石英坩埚的浸润,因为我感觉可能硅中某种杂质会和石英也就是SiO2反应,可能生成气体,但气体在1000多度下我们根本就看不到,所以没办法确定有没有反应,所以只能通过是否消耗二氧化硅的量来判断
7楼2013-04-10 14:09:28
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tjumark

金虫 (著名写手)


★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
首先考虑浸润实验的环境气氛,空气中,真空或是气体保护?
氧气存在条件下,Si在升温过程中表面氧化生成SiO2,形成与石英的润湿过渡层,至于产生气体,含1个O的SiO作为产物SiO2的过渡物质是气态的;
8楼2013-04-10 18:47:39
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zhouhaiping

铁虫 (小有名气)


引用回帖:
8楼: Originally posted by tjumark at 2013-04-10 18:47:39
首先考虑浸润实验的环境气氛,空气中,真空或是气体保护?
氧气存在条件下,Si在升温过程中表面氧化生成SiO2,形成与石英的润湿过渡层,至于产生气体,含1个O的SiO作为产物SiO2的过渡物质是气态的;

是在有氩气做保护的情况下
9楼2013-04-11 08:02:04
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lsllbei

金虫 (著名写手)


★
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以前做过一个,效果不太好!!!
10楼2013-10-14 08:51:52
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