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超高真空金虫 (小有名气)
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[求助]
(急)关于光致发光强度随温度和功率的变化关系数据结果能说明什么问题?
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不知道谁有相关的资料吗? [1]发光峰值与温度之间有些样品会遵从varshni relationship,我不知道这意味着什么?比如硅,他的本征发光会遵循这个规律吗?硅带隙的缺陷能级遵从吗?有些发光峰不遵从这个规律说明什么? 我的实验结果和理论之间不是能够很好的拟和，但是好象和理论数据的趋势差不多,不清楚是实验误差还是样品的发光的却不符合Varshni关系式. (Varshni Y.P.的1967年 的文章我已经看过了,但是还没解决以上问题) [2]发光强度和激发功率之间的关系,只是能得到发光效率的信息吗,峰位置随功率变化能说明什么问题. [3]样品的发光是以硅为Substrate的,所以可能涉及到半导体发光,缺陷发光等机制. [4].希望虫子们多给我有关于这方面详细的资料.我希望是尽可能详细的资料.如果有些虫子觉得我在弄懂以上问题之前需要看的几篇相关的文献,发给我也好. [5].不好意思我这方面的知识比较欠缺,需要多看些资料. 我会根据虫子们提供的信息多少发放我的这些金币. [ Last edited by 超高真空 on 2007-9-11 at 12:46 ] |
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fuzp
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超高真空(金币+2,VIP+0):Thanks 不管对我有没有有用，但是你是第一个回答的。
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光致发光强度随功率的变化关系其实是与激发光的热效应相关的, 从这些关系可以推出光声耦合的一些参数, 你可以看看这篇文章. 虽然体系不一样, 但是思路可以借鉴. Yingling Yang, Hongwei Yan, Zhengping Fu, et al, Photoluminescence Investigation Based on Laser Heating Effect in ZnO-Ordered Nanostructures, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 846-852 |
2楼2007-09-11 17:21:21
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