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关于贵金属-半导体复合光催化剂中载流子的转移 已有7人参与
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一般认为，在半导体催化剂（比如氧化钛）中负载一定量的贵金属，贵金属起得是光生电子受体的作用，也就是氧化钛导带上的光生电子转移到贵金属上；很多光催化的文章里也都是给出了这样的机理图。 但是，按照肖特基势垒，贵金属与n型半导体氧化钛的接触面上会形成一个内建电场，电场方向是氧化钛到贵金属。那么耗尽区的光生电子-空穴对，在内建电场的作用下，电子往氧化钛一侧跑，二空穴往贵金属富集。 那么实际上，氧化钛跟贵金属的复合体系，载流子的迁移是哪个机理呢？ 还有一个问题，是不是n型半导体与p型半导体复合，就一定会形成pn结？ n型与n型复合，费米能级高的那个n型半导体的电子会不会转移到费米能级低的那个半导体中，一直到费米能级拉平为止？就像形成pn结一样？ |
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