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月下冰魂木虫 (正式写手)
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GIDL DIBL 区别
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对于MOS器件尺寸减小，会带来短沟道效应。其中就有GIDL （gate induced drain leakage）和 DIBL（drain induced barrier lowering）。不知道在分析器件性能的时候，I_V曲线出现哪种情况对应GIDL，哪种对应DIBL呢？ 要是有图解就更好了，谢谢。 |
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月下冰魂
木虫 (正式写手)
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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2013-04-06 17:35:15
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自己算是弄懂了哈，分享哈。 GIDL：gate induced drain leakage，栅致漏极泄漏。 随着栅极电压的增加，载流子温度升高，获得的速度增加，当能量达到一定时，就会使得沟道载流子穿过栅极，形成栅极漏电。在IV曲线中表现为转移曲线下，在关断状态，Vgs 越大，关断的漏电流反而增加。这种效应不属于短沟道效应。 DIBL：drain induced barrier lowering, 漏致势垒降低（或漏极感应势垒降低）。当MOS沟道减小时，S/D之间距离减小，当Vd增大到一定时，电力线不仅会穿过D区，还会穿过S区，使得S，D势垒降低，并产生从S到D的漏电流。在IV曲线中，表现为亚阈值斜率的增加，阈值电压的降低，Id的增加，使得器件难以关断。 |
2楼2013-04-05 14:56:36
