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亚晶吞噬这样表示合理吗？是否有需要修改或更合理的表述呢？谢谢。
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摘自：赵品主编，2002年 哈尔滨工业大学出版社《材料科学基础教程》第149页. 亚晶吞噬的主要机理是由于亚晶的位错密度低，亚晶将会向周围位错密度高的的区域生长，使得亚晶界的位错密度逐渐增大，从而使亚晶与周围变形基体取向差逐渐增大，最终由小角度晶界演化成大角度晶界，使得晶界可以弓出、迁移、吞噬途中所遇到的位错而成为再结晶核心。 问题： 1.上述红色字体部分，“亚晶界的位错密度逐渐增大，从而使亚晶与周围变形基体取向差逐渐增大”，具体原因是什么呢？没能理解。 2. 亚晶吞噬这样表示合理吗？是否有需要修改或更合理的表述呢？谢谢。 |
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