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zhongshidaxt金虫 (著名写手)
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[求助]
高斯计算生成焓求助
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各位大神，小弟最近通过高斯计算分子（如C2H6）或者自由基（如C2H5）的生成焓（enthalpy of formation），计算方法是采用的两篇文献上的： （1）OCHTERSKI J W. Thermochemistry in Gaussian [J]. Gaussian Inc, Pittsburgh, PA, 2000 （2）Ab Initio Calculations for Hydrocarbons: Enthalpy of Formation, Transition State Geometry, and Activation Energy for Radical Reactions 但是发现通过这两种方法计算出来的同一种化合物的生成焓差别很大。例如，在Thermochemistry in Gaussian 中，C2H6的生成焓为5.70kcal/mol。而在第二篇文献中，作者给出的值为-83.7kJ/mol，差别非常大。 在《Thermochemistry in Gaussian 》，作者就生成焓的计算一步一步给出了计算方法。我比较疑惑的是在《Ab Initio Calculations for Hydrocarbons: Enthalpy of Formation, Transition State Geometry, and Activation Energy for Radical Reactions 》中计算生成焓的方法，其中计算公式如下截图所示（文献第三页）： 请问各位大神，其中的Hcalcd（分子的、C原子的和H原子的）在高斯频率计算输出文件中是哪一项，怎样获取这个数值？？？ 频率计算实例如下： " Zero-point correction= 0.145378 (Hartree/Particle) Thermal correction to Energy= 0.152948 Thermal correction to Enthalpy= 0.153892 Thermal correction to Gibbs Free Energy= 0.113478 Sum of electronic and zero-point Energies= -196.976655 Sum of electronic and thermal Energies= -196.969086 Sum of electronic and thermal Enthalpies= -196.968142 Sum of electronic and thermal Free Energies= -197.008556 " 文献2见附件：  360截图20130319101453677.jpg |
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2013-03-19 10:25:35, 282.92 K
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 生成焓计算 |
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zhongshidaxt
金虫 (著名写手)
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