| 查看: 520 | 回复: 3 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
月下冰魂木虫 (正式写手)
|
[求助]
求第一性原理计算离子注入的杂质对界面的影响
|
|
| 想通过第一性原理来模拟通过离子注入，在界面处吸附的离子对界面的影响，以证明离子在界面吸附时（而不是在其他地方吸附）整体的能量最低。不知道界面的离子怎么加上去呢？因为实际中，粒子注入后在界面会引起缺陷，而不仅仅是吸附。求高手指导哇。（注入的离子比如为H或者He） |
回复此楼» 猜你喜欢
材料调剂
已经有7人回复
-
化学工程085602 305分求调剂
已经有10人回复
-
289求调剂
已经有15人回复
-
291 求调剂
已经有7人回复
-
274求调剂
已经有14人回复
-
北京林业大学硕导招生广告
已经有3人回复
-
309求调剂
已经有5人回复
-
292求调剂
已经有8人回复
-
求调剂
已经有4人回复
-
一志愿 西北大学 总分282 英语一62 求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 【求助】第一性原理研究锂离子电池正极材料的文章都集中在哪些刊物上？
已经有5人回复
- 【求助】siesta 计算DOS应该注意什么问题
已经有3人回复
- 【其他】有没有纯粹做第一性原理的人申请到国家自然基金？
已经有11人回复
yelin890219
铜虫 (初入文坛)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 130.6
- 红花: 3
- 帖子: 49
- 在线: 59.7小时
- 虫号: 1306664
- 注册: 2011-05-26
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2013-03-13 10:50:10
4楼2013-09-23 16:54:14
5
