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Voland金虫 (小有名气)
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[求助]
MOF与Gaussian计算的一点点想法
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大家好，我是新来的，最近在使用Gaussian计算一些MOF结构的吸附能。多次失败地实验和反思之后，我发现了一个问题。 计算单晶结构的吸附能时候，我查过一些资料，一个做法就是把周期性的结构切成目标部分（姑且让我说是活性中心吧，虽然我也知道这叫法不太科学），该活性中心也就是Substrate，然后先几何优化后计算Substrate的能量，再几何优化计算Substrate+Gas的能量，最后在进行BSSE校正，就可以得到吸附能。 然而，在我几何优化的时候，我发现，Substrate几何优化后的结构和Substrate+Gas的结构（这里我想特指框架结构），有些比较大的差别，这让我很是头疼。我想这个可能是由于Substrate的截取区域不太合适所造成的。但是如果说，把活性中心的截取区域变大，那基函数的数量可能会达到四位数，不仅收敛起来很难也耗时很长。如果说，保持原有的截取结构，直接计算得到吸附能，我想问，这样的结果可信吗？ |
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