| 查看: 1179 | 回复: 5 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
yzzzwei新虫 (小有名气)
|
[求助]
石墨烯场效应晶体管中栅压怎样调节电子浓度
|
||
| 场效应晶体管中，通过栅压来调节沟道电子浓度，继而改变沟道电阻或者调节费米面的位置，请问：栅压是如何具体调节电子浓度的（具体公式）？给出参考文献也行，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
济南大学国家优青课题组 2026 调剂招生来啦
已经有0人回复
-
武汉纺织大学_化学院官方调剂群-院士团队招生-学生自由度高发展好-欢迎各位同学
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有92人回复
-
西华大学 化学 调剂有名额
已经有0人回复
-
上海应用技术大学招生调剂研究生
已经有8人回复
-
南京晓庄学院绿色能源材料团队招生
已经有0人回复
-
南京晓庄学院绿色能源材料团队招生
已经有0人回复
-
北方工业大学储能技术-02电化学储能与氢能方向招收2026级二次调剂学生
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？
已经有12人回复
- 离子场效应晶体管与离子选择性电极的不同
已经有5人回复
- 如何测量石墨烯场效应管的V型曲线
已经有5人回复
|
本帖内容被屏蔽 |
5楼2019-11-15 21:04:32
wangwillow1
金虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 693.9
- 红花: 1
- 帖子: 58
- 在线: 116.3小时
- 虫号: 1090805
- 注册: 2010-09-06
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
2楼2013-03-07 11:04:13
感谢参与，应助指数 +1
|
本帖内容被屏蔽 |
3楼2013-03-07 17:57:37
4楼2013-03-07 18:55:26
