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缺陷能级对载流子的俘获
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一个替位缺陷，部分dos图如图a： http://pan.baidu.com/share/link?shareid=381144&uk=1964084030 经过积分发现禁带中的缺陷能级被2个电子占据，既可以俘获2个空穴（这个想法对不对）但是如何判断此缺陷能级是俘获一个空穴preferable，还是俘获2个更为preferable。有没有什么参数可以作为比较依据 [ Last edited by xiaoluoj on 2013-2-27 at 14:57 ] |
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 带电掺杂体系形成能 |
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