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用LB膜方法，以单分散SiO2作掩膜，制作有序硅纳米线阵列
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作者Yi Cui，是薄膜太阳能电池领域的大牛。 这篇文章采用LB膜方法，以单分散SiO2纳米球作掩膜，制作了有序的硅纳米线阵列。 在其他地方还没有看见过这种制作硅纳米线的方法。 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 2008APL_YiCui_Wafer-scalesiliconnanopillarsandnanoconesbyLangmuir-Blodgettassemblyandetching.pdf
2013-02-26 14:44:00, 437.72 K
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