| 查看: 251 | 回复: 2 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
chemyaox金虫 (小有名气)
|
[交流]
请教一个硅片表面长羟基的问题
|
||
| 本人在做表面自组装，首先要在部分修饰了SAM的硅片表面的SiO2上修饰羟基，文献报道的方法是用NaOH溶液浸泡3min。我用的步骤有所改进，担心这样做会给表面腐蚀掉一层，而且不知道浸泡时间对产生的羟基的覆盖率有没有影响，浸泡多久可以实现百分之百的覆盖羟基。欢迎讨论，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有117人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
-
河北大学-招收26年秋季入化学博士1名
已经有0人回复
-
XPS/?λXPS
已经有0人回复
-
河北大学-招收化学博士1名
已经有0人回复
2楼2007-08-20 09:43:17
3楼2007-08-28 21:30:19