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diamondfire木虫 (正式写手)
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2013年中科院微电子研究所刘洪刚组招专业联合培养研究生
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拟招收部分联合培养研究生开展高迁移率CMOS及射频器件的科研工作，研究方向如下： 1. 应用于后16-14纳米技术代的高迁移率锗基/III-V基CMOS的研究 2. 硅基锗射频器件 3. III-V族射频器件 4. 硅基锗/III-V 光电器件 关于我们： 现团队3名老师以及多名学生和工作人员组成。3名老师都毕业于国内外顶尖大学，为人和善、年富力强、具有丰富的学术和产业背景。课题组研究经费充裕，承担国家科技部重大专项-02项目课题、973课题、国家自然科学基金等项目8项，在研经费超过1500万元。团队成果丰厚, 每年在国际一流期刊和会议上均发表多篇文章，并在相关领域拥有大量专利，每年申请受理和授权的专利数大于15项。研究科室科研条件一流，配套设备完善，研究室专用的工艺平台拥有各种实验和检测设备约100台套，总价值过亿元。 申请条件： 1.来自北京地区大学或研究所，可以住在本学校宿舍。 2.在读硕士生或在读博士生，已经完成基础课程学习，专业方向为电子器件相关(微电子学、光电子学、材料、物理)。 3.所在院校及导师许可，能够在研究所持续工作一年以上，在研究所完成毕业论文。 4.诚实守信，善于沟通，工作勤奋。 研究生待遇： 1.800-1200元/月补贴，报销所有通勤费用，不提供住宿。 2.根据研究成果提供海外参会、奖金激励等。 3.保证发表文章的质量与数量可满足原学校的毕业要求。 4.其它条件面议。 有意者请将简历（包括姓名、性别、年龄、毕业院校、专业方向、科研技能）发邮件至wangshengkai@ime.ac.cn 联系方式 地 址：北京市朝阳区北土城西路3号，中国科学院微电子研究所，A座412室 网 址：www.ime.ac.cn 电 话：010-82995593 E-mail：wangshengkai@ime.ac.cn [ Last edited by diamondfire on 2013-2-11 at 12:15 ] |
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