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liu108

木虫 (正式写手)

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性别: GG
专业: 理论和计算化学

[求助] VASP计算带电缺陷所用公式的疑问

各位大侠，小弟学VASP不久，计算带电缺陷时想用下面的公式：

对于给出的公式在计算的时候我有几个疑问。Ef，Ev，deltaV分别是费米能，bulk相价带最大值，和静电势的差值对么？Ef，Ev，deltaV这几项是在VASP计算中哪一步得出来的数据呢？是在静态自洽计算中得出的还是在非自洽（计算DOS或者能带）计算时得出的数据呢？LVTOT=.TRUE.是在静态中的INCAR中设置呢还是在非自洽的INCAR中设置？Ef的变化区间是在bulk相中价带最大值到导带最小值呢，还是在含有缺陷相中价带最大值到导带最小值呢？
还有就是我看到的paper在用这个公式的计算带电缺陷的时候都是用在结晶相中的，而我计算的体系是截取了一个表面来计算的，不知道在计算表面带电缺陷时，上面的公式是不是适用呢？
烦请各位大虾多多题建议阿。。。。非常感谢。。。

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