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mazuju028

木虫 (正式写手)

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[求助] 求助掺杂后DOS与未掺杂DOS的对齐方式

如题，掺杂后DOS与未掺杂DOS都有什么对齐方式呢？
网上看到一种方法，是找出某个远离掺杂原子A的另一个原子B，然后对这个B原子的 s 电子的DOS进行对齐，计算出平移量，然后将这个平移量施加到整个掺杂后DOS中。这里我有两个疑问：
1，该如何选择那个未被影响的原子B 呢？我选取了几个原子都离掺杂原子A很远，结果与未掺杂时相应原子对比，平移量都不一样，甚至有正有负，这该如何决定？难道取平均？
2，理论上说，掺杂后晶胞经过优化与之前的晶胞无论是原子位置，还是晶胞大小都不一样了，这样即使同一个原子，它的DOS应该会变化，这样子简单的对齐，是否有问题？

未命名.jpg(61.23KB)
http://kuai.xunlei.com/d/LnU4DW7do3-pUAQA853?p=130497

[ Last edited by mazuju028 on 2013-1-6 at 21:57 ]

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锐气藏于胸，和气浮于脸，才气见于事，义气施与人

1楼2013-01-06 21:46:49

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umklapp

银虫 (小有名气)

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★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-03-11 23:16:04

这要看你为什么要对齐，一般是看impurity state.
你掺杂会引入完全不同于host 的能级，而且会影响周围原子上的电子能级，但是如果你看total dos, 不应该会对整个Valent Band, 产生太大影响。（你的掺杂不多的话）
我认为可以先不用理会impurity state, 把整个VB的大体位置对齐。