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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP计算稳定体系的零点能为什么也会出现虚频？
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cindywei

木虫 (初入文坛)

[求助] VASP计算稳定体系的零点能为什么也会出现虚频？

最近用VASP计算Gamma点的零点能做校正，原本热力学及力学上都能稳定存在的钯氢化合物有些成分点出现了虚频，是哪里出现问题了吗？
INCAR设置
ISTART = 0
ICHARG = 2
ENCUT = 450
ISMEAR = 0
PREC = A
EDIFF = 1E-6
EDIFFG = -0.001
NSW = 1
IBRION = 5
POTIM = 0.015
NFREE = 2

OUTCAR
1 f  =   20.970164 THz   131.759427 2PiTHz  699.489360 cm-1    86.725659 meV
2 f/i=   15.743741 THz    98.920841 2PiTHz  525.154652 cm-1    65.110902 meV
3 f/i=   15.775374 THz    99.119597 2PiTHz  526.209815 cm-1    65.241726 meV
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1楼 2013-01-02 17:15:58
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tider

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-04-22 20:41:32
cindywei: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-04-27 11:44:45
http://wolverton.northwestern.ed ... phonon-calculations

One drawback of the frozen-phonon method is that large supercells are needed to accurately calculate the force constant matrix. The periodic boundary conditions used in DFT calculations cause problems for the frozen phonon method. Displacing one atom in a small unit cell creates forces on all the atoms in the same unit cell, but also on the periodic images of these atoms.
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2楼2013-04-18 10:59:53
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刘小伟110

木虫 (小有名气)
cindywei您好，我想问您一个问题就是我要做零点能校正的话，按E=1/2hv公式，把所有频率的能量相加，大约就是0.7eV，按理说，零点能校正的话，不会是这么大的值，也就是0.02eV，是不是这中计算方法有误呢？
我如果要对气态分子吸附态进行零点能校正的话，比如H2O在Cu上的吸附，要计算频率，我是不是应该把H2O和Cu的第一层原子弛豫，把所有的频率的能量相加，就算是零点能呢？是不是应该把Cu原子弛豫的频率去掉，只加H2O的频率呢，但是那样的话，我根本就不能从所有的频率中区分H2O和Cu的频率啊？
最近甚是苦恼啊，还望您能指点迷津，期待您的回复，在此，万分感谢。。。
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慢慢的思考。。。
3楼2014-01-02 16:16:15
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cindywei

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 刘小伟110 at 2014-01-02 16:16:15
cindywei您好，我想问您一个问题就是我要做零点能校正的话，按E=1/2hv公式，把所有频率的能量相加，大约就是0.7eV，按理说，零点能校正的话，不会是这么大的值，也就是0.02eV，是不是这中计算方法有误呢？
我如果要 ...

计算零点能的方法有很多种吧，如果你只考虑轻质的H及O的零点能的话，可以在POSCAR选择H及O不固定而Cu固定，这种计算不完全等同于晶格优化的弛豫，是每个不固定原子按特定几个方向有限的弛豫来获得其零点振动能。我跟个INCAR的设置，你可以通过参数来理解一下，希望对你有用
ISTART = 0
ICHARG = 2
ENCUT = 375
ISMEAR = 0
PREC = A
EDIFF = 1E-7
EDIFFG = -0.001
NSW = 1
IBRION = 5
POTIM = 0.015
NFREE = 2
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刘小伟110
4楼2014-01-03 08:19:33
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刘小伟110

木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by cindywei at 2014-01-03 08:19:33
计算零点能的方法有很多种吧，如果你只考虑轻质的H及O的零点能的话，可以在POSCAR选择H及O不固定而Cu固定，这种计算不完全等同于晶格优化的弛豫，是每个不固定原子按特定几个方向有限的弛豫来获得其零点振动能。我 ...

cindywei您好，首先感谢您的回复，我有所理解，我计算了个水的频率，存在很多f/i，照理说，单个分子气体频率计算，应该没有f/i的，而且按E=1/2hv公式，把所有频率的能量相加，所得能量比较大，零点能的话有可能比本身能量还大，还有就是零点能校正，它是和谁校正啊，单独加上个这么大的数，岂不是很糟糕。
还望您给解释一下。。。。
VASP计算稳定体系的零点能为什么也会出现虚频？
3.3.jpg
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慢慢的思考。。。
5楼2014-01-03 21:55:25
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cindywei

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 刘小伟110 at 2014-01-03 21:55:25
cindywei您好，首先感谢您的回复，我有所理解，我计算了个水的频率，存在很多f/i，照理说，单个分子气体频率计算，应该没有f/i的，而且按E=1/2hv公式，把所有频率的能量相加，所得能量比较大，零点能的话有可能比本 ...

f/i 代表该结构有虚频，可能你的结构不是最优化结构。这种零点能计算是在前面获得最优化结构的POSCAR基础上进行的。零点能用于修正相应结构的总能 TOTEN Energy，建议你搜些文献看看。另外这种计算方法的缺陷建议你了解一下，二楼的回复就有。
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6楼2014-01-04 16:25:07
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刘小伟110

木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by cindywei at 2014-01-04 16:25:07
f/i 代表该结构有虚频，可能你的结构不是最优化结构。这种零点能计算是在前面获得最优化结构的POSCAR基础上进行的。零点能用于修正相应结构的总能 TOTEN Energy，建议你搜些文献看看。另外这种计算方法的缺陷建议你 ...

那你的意思是，我如果作零点能校正，以H2O在Cu上的吸附优化为例，如果在结构优化中，Cu弛豫了6层，那么我在计算零点能时，岂不是也要弛豫6层Cu，那要很多频率的，算出来的零点能会不会很大啊，还有就是您能不能推荐几篇文献呢。。。。。谢谢啦。。。谢谢。。。
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慢慢的思考。。。
7楼2014-01-04 20:49:39
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cindywei

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
7楼: Originally posted by 刘小伟110 at 2014-01-04 20:49:39
那你的意思是，我如果作零点能校正，以H2O在Cu上的吸附优化为例，如果在结构优化中，Cu弛豫了6层，那么我在计算零点能时，岂不是也要弛豫6层Cu，那要很多频率的，算出来的零点能会不会很大啊，还有就是您能不能推荐 ...

是先把整个结构弛豫优化获得最优化结构，然后对优化结构选择部分原子振动的弛豫。零点能主要用来修正吧，计算公式你可以参考该文章及其引用文献，自己多搜一些吧，表面吸附考虑零点能的很多。http://www.sciencedirect.com/sci ... i/S0360319913024518
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8楼2014-01-07 10:51:54
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