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风中冷箫

新虫 (正式写手)

[求助] 什么是current leakage?

各位好,我是做PLED材料合成及PLED性能表征的,经常在文献的电致发光性能表征部分看到Current leakage,请问这是什么意思啊,哪位知道能具体解释一下Current leakage是怎么回事吗,以及造成Current leakage的原因是什么? 比如文献里说For device IV, high surface roughness of the light emitting thin layer leads to high current leakage at lower applied voltage. 麻烦各位指点一下,谢谢!只有这么多金币了,有了再追加。
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wu1008

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
current leakage就是指漏电流啊

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
2楼2012-12-31 01:47:23
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匿名

用户注销 (职业作家)


★ ★
感谢参与,应助指数 +1
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2013-01-01 16:53:08
风中冷箫: 金币+1, ★有帮助, 您好,您说电阻大的话漏电流小,反之电阻小的话漏电流大,但是这篇文献里这句话For device IV, high surface roughness of the light emitting thin layer leads to high current leakage at lower applied voltage.这个器件IV的电阻率最大,这是怎么回事啊? 2013-01-02 21:11:45
本帖仅楼主可见
3楼2013-01-01 10:23:20
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匿名

用户注销 (职业作家)


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4楼2013-01-03 09:15:03
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风中冷箫

新虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by fbqrdzs at 2013-01-03 09:15:03
这句话的意思是,对于装置的IV特性曲线,高的表面粗糙度的LE 薄膜会咋低的电压下产生高的漏电流。
这个是正常的,实验不一定跟理论是一样的,理论是我上面说的,但是实验有这样的结果就需要分析了。

谢谢,不过上面这句话里的IV是device的编号,我这篇文献里一共做了4个device,编号分表为I、II、III、IV,并且从deviceI到deviceIV发光层的电阻率和表面粗糙度是逐渐增大的。就是在这种情况下,deviceIV在较低的电压下产生了高的漏电流。
5楼2013-01-03 10:35:36
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匿名

用户注销 (职业作家)


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6楼2013-01-03 10:43:47
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风中冷箫

新虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by fbqrdzs at 2013-01-03 10:43:47
这个说明该文的研究重点是表面粗糙度跟漏电流的关系。文献是这样的,探讨的问题很片面,他做出了什么结果就怎么说,你将来也会这样的了。

恩, 谢谢!
7楼2013-01-03 16:05:25
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