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paopaotu326金虫 (正式写手)
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采用LDA+U计算SnO2的能带结构，U值越大，带隙越小？
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偶是新人，最近在计算SnO2的能带结构，采用2*2*2超胞时（Sn16O32)，采用VASP的LDA进行计算，得到的能隙只有1.11eV，故找了不少LDA+U的资料来看完，开始实践，先采用单胞进行计算（Sn2O4），发现用LDA算出来的能带带隙增大为2.0eV，然后用+U的方式来计算，却发现U值越大，得到的带隙越小？下面是我计算能带的输入文件： system=SnO2-Rutile-LDA+U ISIF=3 NSW=1 ISTART=1 IBRION=2 ISMEAR=0 ! 0 ! for less K-point, set 0. try -5 (tetrahedron method valid for NKPT>=4) with multi-KPOINTS NFREE =15 NELM =120 NELMIN= 4 NELMDL = -12 ENCUT=520 NBANDS=160 EDIFF=0.0014 Prec=Normal ROPT=-5E-4 -5E-4 -5E-4 -5E-4 ! * Making the calculations faster IALGO = 48 ! RMM-DIIS algorithm for electrons LREAL =.FALSE. ! evaluate projection operators in reciprocal space NSIM = 4 ! blocked algorithm update, four bands at a time LELF=TURE ICHARG=11 RWIGS=1.566 0.820 NPAR=1 LDAU = .TRUE. LASPH = .TRUE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 ！ POTCAR中Sn在前，O在后 LDAUU = 5.00 0.00 LDAUJ = 0.5 0.00 LDAUPRINT = 2 LMAXMIX = 4 ! Important: mix paw occupancies up to L=4 我算出来，U为5的时候，带隙只有1.24eV，而不加U时，确有2.0eV，而且当U值调整到10时，带隙只剩下0.71eV了。 真是百思不得其解啊，请大家帮忙了！ |
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paopaotu326
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fzx2008: 金币+3, 谢谢指教！ 2013-01-17 10:04:58
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确实和理论预期有点差别。请问你的结构是否做过优化？用一般的LDA和GGA优化即可。我想，如果不做优化，直接拿实验结构做计算的话，对于理论来说，这个结构是有缺陷的，而缺陷一般导致带隙变窄。当然，一般来说这个非优化结构对结果的影响不太大，因为实验结构往往和理论结构离的很近。不过如果没有优化的话，先优化一下试试。 另外一个问题是你的自旋极化是否已经打开？+U计算需要打开自旋极化。我没有用过VASP，不过这样的错误我想VASP也不至于犯。如果还不行，只能建议多看文献，检查计算设置了。科研就是这样摸索。 |
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