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paopaotu326金虫 (正式写手)
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采用LDA+U计算SnO2的能带结构,U值越大,带隙越小?
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偶是新人,最近在计算SnO2的能带结构,采用2*2*2超胞时(Sn16O32),采用VASP的LDA进行计算,得到的能隙只有1.11eV,故找了不少LDA+U的资料来看完,开始实践,先采用单胞进行计算(Sn2O4),发现用LDA算出来的能带带隙增大为2.0eV,然后用+U的方式来计算,却发现U值越大,得到的带隙越小?下面是我计算能带的输入文件: system=SnO2-Rutile-LDA+U ISIF=3 NSW=1 ISTART=1 IBRION=2 ISMEAR=0 ! 0 ! for less K-point, set 0. try -5 (tetrahedron method valid for NKPT>=4) with multi-KPOINTS NFREE =15 NELM =120 NELMIN= 4 NELMDL = -12 ENCUT=520 NBANDS=160 EDIFF=0.0014 Prec=Normal ROPT=-5E-4 -5E-4 -5E-4 -5E-4 ! * Making the calculations faster IALGO = 48 ! RMM-DIIS algorithm for electrons LREAL =.FALSE. ! evaluate projection operators in reciprocal space NSIM = 4 ! blocked algorithm update, four bands at a time LELF=TURE ICHARG=11 RWIGS=1.566 0.820 NPAR=1 LDAU = .TRUE. LASPH = .TRUE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 ! POTCAR中Sn在前,O在后 LDAUU = 5.00 0.00 LDAUJ = 0.5 0.00 LDAUPRINT = 2 LMAXMIX = 4 ! Important: mix paw occupancies up to L=4 我算出来,U为5的时候,带隙只有1.24eV,而不加U时,确有2.0eV,而且当U值调整到10时,带隙只剩下0.71eV了。 真是百思不得其解啊,请大家帮忙了! |
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9楼2013-01-19 13:51:56









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