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台湾工研院开发IGZO TFT低温制程 已有4人参与
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台湾工研院开发IGZO TFT低温制程 2012-12-4 来源：精实新闻 工研院于12/3与日本基板大厂KANEKA共同发表双方合作开发、可应用于未来软性显示器的半导体氧化物晶体管阵列技术（IGZO, In-Ga-Zn-OTFT），这项创新开发的IGZO TFT阵列技术系采≦200℃低温制程，具备高挠曲特点，曲率半径≦1公分，已克服传统晶体管高温制程热胀冷缩造成的位移及基板变形情形。工研院表示，这项研究成果获得第19届全球显示技术研讨会（International Display Workshops , IDW`12）入选论文殊荣，并受邀于12/4研讨会中发表。 工研院进一步说明，传统的晶体管是在 380℃高温制程中进行，在硅晶圆（Wafer）或玻璃等坚固材质上，利用溅镀、光蚀刻、蒸镀等半导体制程，在硅晶圆上制作出极小的微结构。而工研院这次所开发的IGZO TFT阵列，使用塑胶基板及低温≦200℃制程，让晶体管在低温制程中，仍具有好的电流开关比特性。 同时因整合元件结构，在制程中温度升高时，晶体管与塑胶基板两个不同材质即使发生热胀冷缩不一致的应力问题，软性基板在制作过程中也不易破裂，并使软性基板在制程中维持其平坦性及透明度，易于制作高挠曲TFT背板。 工研院开发的新氧化物薄膜晶体管阵列技术，已整合应用于基板大厂KANEKA的软性塑胶（Polyimide,PI）基板，经过双方合作验证，成功克服应力所造成元件特性失效的技术挑战，并且实现高挠曲氧化物薄膜晶体管阵列技术（曲率半径≦1公分）。而透过合作调整，KANEKA公司还发展出大于85%高透明度、低热膨胀（<10ppm/℃）及高耐热温度（>300 ℃）特性的基板。 工研院预期，这项新氧化物薄膜晶体管阵列技术将可广泛应用于软性有机发光显示器AMOLED、软性LCD（液晶显示器）或软性EPD（电子纸显示器）、软性OLED Lighting等等产品，加速实现手机、计算机或电视等产品朝向更轻薄、柔软及可弯曲等设计发展，为软性电子应用开启新应用。 http://www.fpdisplay.com/news/2012-12/info-154421-639.htm |
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wu1008
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