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[求助]
请教一下关于用AAO模板电沉积CuInSe2的问题！
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| 请问有没有虫友用电沉积的方法制备过CuInSe2啊？我最近在用AAO模板电沉积CuInSe2，但是做出来的效果一直不好。想进到孔里面似乎很难，基本都在表面。想请教一下大神，这是什么原因？还有怎么控制比较好的元素比例，貌似沉积的元素比例不是非常符合1:1:2！谢谢！ |
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送鲜花一朵 
4楼2012-12-06 09:16:45
Jackcd12
至尊木虫 (知名作家)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
muerc: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2012-12-06 13:37:54
感谢参与，应助指数 +1
muerc: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2012-12-06 13:37:54
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很多做AAO电沉积都会遇到你这个问题，溶液很难进入纳米级孔道中，其原因是孔道中有空气，因此，当背面电极步骤完成后，将模板放在一个真空腔（瓶）中减压抽空一段时间后，再滴加溶液，在这种负压状态下，溶液才能进入孔内。 我没有做过你这个实验，据推测，你需要控制各种离子的浓度和沉积电位，这些离子的沉积电位是不同的，因此，需要根据它们的标准电位和浓度关系，计算出合适的浓度比例。 此外，加电方式也可以考虑，如果是控制电流的话，考虑脉冲方式，或其他波形。 |
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2楼2012-12-05 22:13:57
wu1008
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3楼2012-12-05 23:10:06
5楼2012-12-06 09:17:37
