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kiuff银虫 (初入文坛)
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[求助]
关于两种半导体形成p-n异质结的问题！！
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| 本人做的是复合光催化材料，在最近看文献时发现有人用氧化铜和钒酸铋结合提高材料的可见光光催化性能，主要是利用了两种不同类型半导体（氧化铜是p型半导体，钒酸铋是n型半导体）的结合可以在界面产生p-n异质结，两者的价带和导带的分布决定了光生空穴可以从钒酸铋的价带到氧化铜的价带，但是电子却不能从钒酸铋的导带到氧化铜的导带，使得电子和空穴分离，提高光催化效果,详见参考文献：柠檬酸络合法制备可见光响应型光催化剂Cuo/BiVO4; 以及文献efficient photocatalytic degradation of phenol over Co3O4/Bivo4 composite under visible light irradiation；但是本人又看文献有人将氧化铜和二氧化钛结合在一起，感觉二氧化钛和钒酸铋的能带位置相对于氧化铜来说差不多，而且二氧化钛也是n型半导体，但是电子和空穴的传递却报道的与氧化铜和钒酸铋结合的材料传导不同，，详见参考文献5.1% apparent quantum efficiency for stable hydrogen generation over eosin-sensitized cuo/tio2 photocatalyst under visible light irrdiation.或者highlyefficient cuo incorporated tio2 nanotube photocatalyst for hydrogen production from water. 纠结啊！！求高人指教。。。 |
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yanbaojun
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2楼2012-12-05 09:16:28
