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请教关于退火对非晶磁性薄膜磁滞回线的影响机制
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利用磁控溅射制备了2个微米的Co基非晶薄膜，30mm*2mm，并进行了一系列退火处理。对自已应用结果比较好的是沿短边方向外加磁场退火，这样可以在小H下得到非线性。磁滞回线如图，红色是制备态，黑色是退火后。 做了电镜和XRD， 结果发现两者没有什么区别。10万倍的SEM什么晶粒也看不到，一片平坦，XRD显示两者都是非晶态，都有馒头峰 但是中间也掺杂这乱七八糟的一些晶化峰。 外加横向磁场退火后，最大磁导率增加了，矫顽力Hc减小，并且饱和磁感应强度增加了。饱和磁场强度也增大，但是同时在5Oe那里出现了一个磁导率的转折点，这个转折点对我是非常有用的。 问题1：想请各位前辈指点一下 产生这样结果的原因是什么，在论文上该怎么分析。 2：5Oe的这个转折点也可以叫做饱和磁场强度点吗？或者是有别的什么叫法？ 不胜感激  Graph2.jpg [ Last edited by 钟楼脚下 on 2012-11-24 at 11:21 ] |
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2楼2012-11-26 14:16:40
