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zhunzhunbing银虫 (小有名气)
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[交流]
关于ZnO极性面钝化添加赝氢问题 已有3人参与
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为了研究这个问题，我倒腾了n多PRL和PRB，真是…… 对于一般的干净极性面实验室上是不能稳定存在的，当然做计算也没什么意义。但是ZnO是特例，首先实验上证实没有缺陷掺杂空位的干净ZnO极性面是存在的。因此我们的第一性原理计算是合理的。不用加赝H计算得到的结果本身是没什么大问题的。因为优化后的结构已经发生了电荷转移，两个不同终端的外表面电荷总量都已经减少到平衡了，内场被抵消，没有宏观偶极矩出现。追溯到2001年的PRL，86，17，作者做计算的时候就说明了电荷转移的出现。到2003年的PRB67,035403，确实强调表面能发散（01年PRL人家早说了吧），但是注意前提是离子模型，离子模型针对的是其他普通极性面情况，而非ZnO的情况，所以说这个我认为只能是区分了下ZnO和其他品种的极性面而已，没什么大突破。之后还有篇PRB68,245409又搞了搞ZnO离子模型，不知道有什么意义。用GGA赝势和其他泛函计算的时候电荷转移是必然的，又不能固定电荷来说明什么问题。然后到06年PRL96,066102，终于出来个既简单又经典的事实来了，分层现象。估计很多算ZnO的人都算出来过，就是没当回事，人家发了PRL，首先需要指出的是这篇文章计算干净ZnO slab就没有加赝H，他重点提出了一种新的电荷转移机制，graphiticlike结构的出现可以抵消内部偶极矩。从侧面说明计算slab本身简简单单来就没问题。这个分层现象到底对不对呢？反正07年PRL99,026102说是验证了这个结果，做出了2ML ZnO（0001）films。好吧，结论就是算ZnO slab的时候没必要加什么修饰。 当然上面的分析不一定都对，希望大家与我一起研究研究 |
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 VASP and MS | 第一性原理 |
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zhunzhunbing
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