[求助] 请问Cu4O3的能带带隙是多少

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1楼2012-11-18 14:02:16

liliangfang

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4楼: Originally posted by souledge at 2012-11-19 07:24:02
个人理解，虽然the optical band gap是光学带隙，但是这个光学带隙可以认为是能带带隙和激子等效应综合后的产物，如果可以预测激子效应在Cu4O3中并不重要，那几乎可以认为该光学带隙等于能带带隙，至少，能带带隙要 ...

谢谢指教，但是论坛里面有人说能带带隙大于光学带隙啊

5楼2012-11-19 08:44:27

liliangfang

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6楼: Originally posted by souledge at 2012-11-19 08:59:02

应该是大于等于光学带隙，至于大于的部分，可以第一性原理预测的～...

恩，呵呵，谢谢，我用vasp计算差的太远，所以上来问问

7楼2012-11-19 09:08:07

liliangfang

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8楼: Originally posted by souledge at 2012-11-19 09:09:24
用Hybrid XC试试呢？或者，至少先从DFT中确定是否是直接带隙的嘛～...

看了，是直接带隙的，不过有个老外计算的说是间接带隙

9楼2012-11-19 09:11:00

liliangfang

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8楼: Originally posted by souledge at 2012-11-19 09:09:24
用Hybrid XC试试呢？或者，至少先从DFT中确定是否是直接带隙的嘛～...

而且费米面穿过能带，但是据说Cu4O3是半导体特征

10楼2012-11-19 09:13:09

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8楼: Originally posted by souledge at 2012-11-19 09:09:24
用Hybrid XC试试呢？或者，至少先从DFT中确定是否是直接带隙的嘛～...

还有，这位专家，你用过ＧＷ计算能带吗，ｖａｓｐ的GW一直没成功过

11楼2012-11-19 09:20:26

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12楼: Originally posted by souledge at 2012-11-20 09:02:39

俺自己的电脑跑不动GW……曾经试着用Yambo跑了下，就是个简单的Si，并且空带还比较少，就算了一天多……内存还险些不足~...

我用vasp尝试好几次GW，但都没成功过，不知道专家用的是什么步骤，参数什么设置，谢谢指教

13楼2012-11-20 09:23:54

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14楼: Originally posted by souledge at 2012-11-20 10:25:03
我没用VASP跑GW，因为没有版权，使用的是PWscf+Yambo，并且没跑完……
不知道LZ的建模有没有问题，Cu4O3是I41/AMDZ的空间群，这个空间群如果直接用MS建模会有问题，自动建立成I41的另一个子群……
这是正常的Cu4 ...

好的非常感谢很热心

15楼2012-11-20 11:43:40

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这个模型建的好漂亮啊，不知道专家用什么软件的，我是用POSCAR导入MS看的，模型应该没问题
CONTCAR_副本.png

CONTCAR_副本.png

[ Last edited by liliangfang on 2012-11-20 at 13:14 ]

16楼2012-11-20 13:12:35

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17楼: Originally posted by souledge at 2012-11-20 14:26:25
在MS中做成primitive cell再导回，否则可能会出现高对称点折叠的现象，造成直接和间接带隙的变化。
我用V_Sim做的模型图。...

我是看了图，直接写POSCAR的，下面是poscar，你说的造成直接和间接带隙的变化，我算的是直接带隙，但是一老外算的是间距带隙，不知道哪里错了，是不是有问题，请指教，谢谢

Cu4O3
1.00000000000000
   5.9005708581724283 0.0000000000000000 0.0000000000000000
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   0.0000000000000000 0.0000000000000000 9.8520236327041886
Cu O
  16  12
Selective dynamics
Direct
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